SK hynix促进321个盖子的移动存储NAND UFS 4.0

最近，SK Hynix宣布，它将基于321 Flash 4D NAND内存层开发新的UFS 4.1智能手机存储解决方案，预计将在2026年第一季度推出。该产品可大大提高其手机在数据存储中的性能。新的内存芯片只有0.85毫米厚，可降低238盖的堆叠版本的15％，为1.0毫米，达到了连续读取速度的最高4.3 GB/s，超过了固态PCIE PCIE 3.0电流的主要单元的性能水平。在随机阅读和写作功能方面，新产品也取得了重大进步，随机阅读率提高了15％，写作表现提高了40％。这种改进对于智能手机经常处理ArchSmall IVO的应用程序方案更有益，但尚未宣布某些值。此外，从能耗控制的角度来看，新的记忆芯片也提高了能量效率加密7％，有助于改善设备的电池寿命。但是，这些数据没有提供详细的解释。尽管堆叠层越来越多，但该存储解决方案目前提供了两种容量选项：512G??B和1TB，总容量不再改善。